SK海力士展示全球最高層321層NAND閃存樣品
2023-08-09 13:32:41 | 來源:云財經(jīng) |
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(資料圖片)
SK海力士于當?shù)貢r間8日,在美國加利福尼亞州圣克拉拉舉辦的“2023閃存峰會”上,公布了321層1Tb TLC 4D NAND閃存開發(fā)的進展,并展示了現(xiàn)階段開發(fā)的樣品。作為業(yè)界首家公布300層以上NAND具體開發(fā)進展的公司,SK海力士宣布,將進一步完善321層NAND閃存,并計劃于2025年上半期開始量產(chǎn)。