芯片上“長”出原子級薄晶體管,可大幅提高集成電路密度
2023-05-04 07:22:44 | 來源:云財經(jīng) |
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【資料圖】
美國麻省理工學(xué)院一個跨學(xué)科團隊開發(fā)出一種低溫生長工藝,可直接在硅芯片上有效且高效地“生長”二維(2D)過渡金屬二硫化物(TMD)材料層,以實現(xiàn)更密集的集成。這項技術(shù)可能會讓芯片密度更高、功能更強大。相關(guān)論文發(fā)表在最新一期《自然·納米技術(shù)》雜志上。這項技術(shù)繞過了之前與高溫和材料傳輸缺陷相關(guān)的問題,縮短了生長時間,并允許在較大的8英寸晶圓上形成均勻的層,這使其成為商業(yè)應(yīng)用的理想選擇。(科技日報)