中國科大在氧化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得重要進展|全球快播
2022-12-13 08:25:53 | 來源:云財經(jīng) |
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《科創(chuàng)板日報》13日訊,據(jù)中國科大發(fā)布,在世界頂級的半導(dǎo)體和電子器件技術(shù)論壇IEEE IEDM上,中國科大國家示范性微電子學(xué)院龍世兵教授課題組兩篇關(guān)于氧化鎵器件的研究論文(高功率氧化鎵肖特基二極管和氧化鎵光電探測器)成功被大會接收,這也是中國科大首次以第一作者單位在IEEE IEDM上發(fā)表論文。該研究通過合理設(shè)計優(yōu)化JTE區(qū)域的電荷濃度,確保不影響二極管正向特性的同時最大化削弱肖特基邊緣電場,從而有效提高器件的耐壓能力。